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Modules APD

Détection rapide et fiable de lumière. Dans des modules APD l’électronique de commande des photodiodes à avalanche est déjà incluse.

Les deux versions des modules APD

Les modules APD permettent de détecter rapidement et simplement de très faibles niveaux de signal dans une variété d’applications telles que les radars laser, la télémétrie, le transfert de données, ou les analyses biomédicales.

Les modules APD sont basés sur l’intégration de photodiode avalanche soit en Silicium, soit en InGaAs avec préamplificateur intégré et alimentation haute tension. Une fonction de compensation de la température, permet à l’APD d’être utilisée à gain constant sur une large plage de température.

 

L’APD en version InGaAs a une surface active de 200 µm de diamètre et est idéale pour un fonctionnement dans une gamme de longueur d’onde de 1000 à 1650 nm.

Les versions en silicium sont conçues pour la plage de 400 nm a 1100 nm et sont disponibles avec des zones actives de 500 mm, 1.5 mm ou 3 mm. Les versions sillicium et InGaAs possedent toutes deux des bandes passantes de 0 à 240 MHz.

Le module combine tous les composants nécessaires dans un seul boîtier blindé compact (approx. 40 x 40 x 40 mm), afin que seul un chargeur DC standard (aussi disponible chez Laser Components) soit nécessaire pour un fonctionnement plug-and-play.

Des versions OEM ou custom sont disponibles sur demande.


 

Informations

sur les photodiodes à avalanche

Matériel semi-conducteur

Semblables aux photomultiplicateurs, les photodiodes à avalanche sont employées pour détecter des intensités de lumière extrêmement faibles.

Les Si APDs sont employées dans la gamme de longueurs d'onde de 250 à 1100 nanomètres, tandis que l’InGaAs est employé comme matériel semi-conducteur dans les APDs pour la gamme de longueurs d'onde à partir de 1100 à 1700 nanomètres.

Pierre Chazan
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