InGaAs Panchromatique ou Silicium ?

À de plus longues longueurs d’onde ­l‘InGaAs panchromatique a une stabilité de température plus élevée que le silicium et présente ainsi une alternative viable dans des applications laser autour de 1000 nm.

La gamme de sensibilité de nos nouvelles diodes PIN InGaAs – IG17, IG22, et IG26 – couvre non seulement le domaine spectral du SWIR mais également la gamme du visible: cette caractéristique est désignée sous le nom de « panchromatique » par exemple l’IG22 montrée dans la fig. 1.

Dans une application de mesure, ce signal devrait dépendre le moins possible de facteurs de perturbation afin d’être aussi indépendant de la température environnementale que possible. Avec du silicium, cette propriété existe dans les longueurs d’onde qui sont inférieures à 900 nm ; le coefficient de température de la sensibilité est constant à <0.1%/K et peut être corrigé par logiciel.

Plus les longueurs d’onde sont longues, plus cette dépendance augmente rapidement et plus il devient difficile de faire une correction par logiciel.

Cet effet est particulièrement dérangeant dans les applications laser autour du micron. Ici ­l’InGaAs présente une intéressante alternative au silicium.

La perte de signal est marginale. Les composants de la série IG17 montrent un coefficient de température constant de <0.1%/K à 1000 nm. Selon les essais que nous avons menés, la ­série IG22 est, avec une valeur d’approximativement 0.002%/K, encore bien plus indépendante à la température et devrait certainement être considérée pour cette utilisation.

Fig. 2 montre le comportement spectral correspondant au coefficient de température.