Avalanche Photodioden

Wie Photomultiplier werden Avalanche-Photodioden (APDs) zur Erkennung extrem schwacher Lichtintensitäten verwendet. Silizium (Si) APDs werden im Wellenlängenbereich von UV bis NIR (250 nm bis 1100 nm) eingesetzt, und Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs) wird als Halbleitermaterial in APDs für den NIR-Wellenlängenbereich von 1100 nm bis 1700 nm verwendet. 

Alle von LASER COMPONENTS entwickelten APDs werden in der Produktionsstätte in Arizona hergestellt. Um den Bedürfnissen jedes Kunden gerecht zu werden, können die Komponenten mit individuellen Anpassungen angeboten werden. Schon vor der Bestellung können die Produktexperten bei der Entscheidungsfindung helfen.  

Zertifizierte Herstellungsprozesse 

Alle Si- und InGaAs-APD-Wafer werden in einem Reinraum der Klasse 100 hergestellt. Die Verpackung erfolgt in einem Reinraum der Klasse 10.000. Darüber hinaus werden Produkte gemäß MIL-STD für höchst zuverlässige Verteidigungs- und Raumfahrtanwendungen entwickelt. 

Silizium APDs 

LASER COMPONENTS verfügt über ein umfangreiches Portfolio an Silizium-APD-Produkten, die für hohe Quanteneffizienzen (QE) bei Wellenlängen von 250 nm, 405 nm, 670 nm, 700 nm, 905 nm, 1050 nm und 1064 nm (die SAT-Serie ist typisch für YAG-Anwendungen) ausgelegt sind. Diese hochempfindlichen Detektoren können selbst kleinste Lichtmengen erfassen und sind ideal für die Einzelphotonenzählung (SAP-Serie und Zählmodule). Si-APDs werden in der Regel mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 230 µm bis 3000 µm angeboten. 

InGaAs APDs 

Für den Infrarotbereich (IR) bietet LASER COMPONENTS zwei Varianten von InGaAs-APDs mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 80 um bis 500 µm an. Diese APDs sind ideal für Anwendungen, die eine lange Lebensdauer, eine geringe Kapazität, einen niedrigen Dunkelstrom, einen hohen dynamischen Betriebsbereich und eine Detektivität über einen Spektralbereich von 800 nm bis 1700 nm erfordern. Sie haben eine hohe Quanteneffizienz bei 1310 nm, 1480 nm, 1550 nm und 1625 nm, die es diesen Avalanche-Photodioden ermöglicht, auch bei höheren Verstärkungen und hoher Bandbreite mit geringem Rauschen zu arbeiten, ohne dabei niedrigere Wellenlängen zu vernachlässigen. Diese Detektoren weisen ein hohes Signal-Rausch-Verhältnis (SNR) auf, selbst wenn sie mit einer 30-fachen Verstärkung arbeiten. 

APD Receiver

Mit einer großen Frequenzbandbreite und Unterstützung für viele Wellenlängen arbeiten APD-Empfänger im Bereich 400 nm bis 1100 nm und 1000 nm bis 1650 nm für Silizium- bzw. InGaAs-APDs. LASER COMPONENTS bietet die H1-Serie für geringes Rauschen mit einem eingebauten Temperatursensor an, der Bandbreiten bis zu 30 MHz unterstützt. Die H2-H5-Serien eignen sich für noch schnellere Anwendungen mit Bandbreiten bis zu 700 MHz. 

APD Selection Guide 

Je nach Material eines Detektors können sich die Reichweite und Ausfallsicherheit für verschiedene Anwendungen stark unterscheiden. Lesen Sie den LASER COMPONENTS APD Selection Guide, um zu erfahren, welche Si- und InGaAs-APDs jeweils passen. 

Das perfekte Paar mit den richtigen PLDs  

Als Hersteller von Impulslaserdioden (PLDs) und Photodioden ist LASER COMPONENTS Ihr Ansprechpartner für alle Ihre Emitter- und Detektorprodukte. PLDs werden auch mit kundenspezifischen Bandpassfiltern angeboten, um den Anforderungen der verschiedenen Industriezweige gerecht zu werden.  

Einsatzgebiete 

• Laser-Entfernungsmessung 
• LiDAR 
• Spektroscopie & Fluoreszenz 
• Verteidigung & Militär
• Autoindustrie 
• Astronomik 
• Biomedizinische Technik 
• Optische Kommunikation