InGaAs Fotodioden 500

InGaAs-Detektoren

Die Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs)-Detektoren der Serien IG17, IG22, IG26X und IG26H wurden mit einem Schwerpunkt auf Quanteneffizienz entwickelt.

Hauptanwendungen für IR-Photodioden:

Spektroskopie (insbesondere FT-NIR)
Laser Monitoring
Berührungslose Temperaturmessung
Tunable Diode Laser Spectroscopy (TDLS)
Spektrophotometrie, z. B. zur Feuchtigkeitsmessung
Sortieranwendungen
Flammenregelung
Gaserkennung

InGaAs und extended InGaAs Photodioden von Laser Components

LASER COMPONENTS fertigt in Arizona eigene Photodioden. Sie sind seit 2013 auf dem Markt und bieten ein hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis.

Folgende InGaAs- und Extended InGaAs-Detektoren sind verfügbar:

IG17-Serie (500 bis 1700 nm)
IG22-Serie (500 bis 2200 nm)
IG26X-Serie (500 bis 2600 nm)
IG26H-Serie (500 bis 2600 nm)

Dieses Produktportfolio bietet:

Panchromatische Eigenschaften mit Erfassung bis zu 500 nm
Niedriger Temperaturkoeffizient
Reduzierte Off-Area-Empfindlichkeit
Standardisierte aktive Durchmesser von 0,25 mm bis 3 mm, verfügbar in hermetisch versiegelten TO-Gehäusen, SMD, Keramikhalterungen oder als Chip

Diese Produktreihe wurde mit viel Liebe zum Detail entwickelt: Besonders erwähnenswert ist der panchromatische Charakter aller unserer InGaAs-Photodioden, der die Detektion von Wellenlängen bis zu 500 nm ermöglicht. Darüber hinaus bieten sie einen niedrigeren Temperaturkoeffizienten und eine geringere Off-Area-Empfindlichkeit.

Standardmäßig fertigen wir aktive Durchmesser von 0,25 mm bis 3 mm. Als Gehäuseoptionen bieten wir hermetisch dichte TO-Gehäuse mit oder ohne integriertem Peltier-Kühler sowie SMD als Chip und auf einem Keramiksockel.

Diese Produkte sind optimal für spektroskopische Anwendungen geeignet. Sie überzeugen mit einer Cut-off-Wellenlänge von 50 % von > 1,65 µm (IG17-Serie) bis > 2,45 µm (IG26X-Serie). Der IG26H bietet für Anwendungen mit umgekehrter Vorspannung, bei denen ein hoher Shunt-Widerstand erforderlich ist eine ähnliche Funktion wie der IG26X.

Neben den branchenüblichen Größen von 1 mm und 2 mm erhalten Sie bei LASER COMPONENTS auch eine Zwischengröße mit einer aktiven Fläche von 1,3 mm. Diese Fotodiode können in einem TO-46-Gehäuse mit einem Basisdurchmesser von 5,3 mm verbaut werden. Im Vergleich zu einer aktiven Fläche von 1 mm beutet das bei gleichen Gehäuseabmessungen ein 70 % stärkeres Signal.

Kundenspezifische Varianten sind möglich - so z.B. die hermetische Integration von Interferenzfiltern.

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Wichtige Merkmale umfassen:

Spitzenempfindlichkeiten von 1,05 A/W bis 1,45 A/W
Hoher Dynamikbereich
Hohe Linearität
Niedriger Temperaturkoeffizient der Empfindlichkeit bis zu 0,01 %/K
Panchromatisch, d. h. empfindlich im sichtbaren und NIR-Bereich

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Unser IR Detektor-Sortiment

Panchromatische, photoleitende und thermische Detektoren

InGaAs PIN Photodioden

Moderne InGaAs-PIN Fotodioden sind panchromatisch und wandeln breitbandig Licht im VIS-NIR Bereich in einen Photostrom um. Konkret bedeutet dies einen Empfindlichkeitsbereich von 500 nm bis 1700 nm für das reguläre InGaAs und –in Abstufungen- bis zu 2600 nm für das extended InGaAs.

PbS und PbSe Detektoren

PbS ist ein Standard SWIR-Halbleiterdetektor (Short-Wave Infrared: 1 – 3,3 µm) während PbSe im MWIR (Mid-Wave Infrared; ungekühlt: 1 – 4,7 µm, gekühlt: bis 5,2 µm) verwendet wird. Unsere PbS- und PbSe-Detektoren sind photoleitend – der Detektorwiderstand verringert sich bei Lichteinfall. Die Kristallstruktur ist polykristallin und die Herstellung erfolgt mittels chemischer Abscheidung.

Pyroelektrische IR Detektoren

Pyroelektrische IR Detektoren sind thermische Detektoren . Abhängig von der absorbierten Lichtmenge ändert sich die Temperatur des Oberflächenmaterials. Diese Änderungen werden in elektrische Signale umgewandelt. Thermische Detektoren sind polychromatisch und haben eine sehr große spektrale Bandbreite. Trotzdem werden sie hauptsächlich im MWIR und LWIR eingesetzt – zunehmend auch bei THz-Strahlung.

Der pyroelektrische Effekt beruht darauf, dass die Atome in einem Kristall oder einer Keramik mit hoher Kristallinität bei Temperaturänderungen geringfügig ihre Position ändern. Die dadurch entstehenden elektrischen Schwankungen werden durch Elektroden auf der Kristalloberfläche erfasst.

Dieser Effekt tritt bei vielen Materialien auf. Die gebräuchlichsten davon sind deuteriertes L-Alanin dotiertes Triglycinsulfat (DLaTGS) und Lithiumtantalat (LTO).