Die Baureihe IA35 schließt spektral an die extended InGaAs Photodioden der Baureihe IG26 an. IA35–Detektoren sind photovoltaisch, die aktive Fläche hat einen Durchmesser von 500 µm.
Die IA35S500S4i ist ein hochwertiges und dabei trotzdem vergleichsweise preiswertes Bauteil. Sie bietet gegenüber vergleichbaren InAs-Produkten traditioneller IR-Detektorhersteller den doppelten Shuntwiderstand bei gleichzeitig vervierfachter Fläche.
Hauptanwendungen:
- Berührungslose Temperaturmessung
- Laser Monitoring
- Spektrophotometer
Zu den Schlüsseleigenschaften zählen:
- Peakempfindlichkeit: >= 1,05 A/W
- Typischer Spektralbereich mit 80% der Spitzenempfindlichkeit: ca. 900 nm bis ca. 3500 nm
- Shunt-Widerstand: typ. 700 Ohm
Unser IR Detektor-Sortiment
Panchromatische, photoleitende und thermische Detektoren
InGaAs PIN Photodioden
Moderne InGaAs-PIN Fotodioden sind panchromatisch und wandeln breitbandig Licht im VIS-NIR Bereich in einen Photostrom um. Konkret bedeutet dies einen Empfindlichkeitsbereich von 500 nm bis 1700 nm für das reguläre InGaAs und - in Abstufungen - bis zu 2600 nm für das extended InGaAs. Varianten für die Datenübertragung sind nicht panchromatisch.
PbS und PbSe Detektoren
PbS ist ein Standard SWIR-Halbleiterdetektor (1 – 3,3 µm) während PbSe im MWIR (1 – 4,7 µm ungekühlt, bis 5,2 µm gekühlt) verwendet wird. Unsere Bleisalzdetektoren sind photoleitend – der Detektorwiderstand verringert sich bei Beleuchtung. Die Kristallstruktur ist polykristallin und die Herstellung erfolgt mittels chemischer Abscheidung.
Pyroelektrische IR Detektoren
Pyroelektrische IR-Detektoren sind thermische Detektoren - es wird ein elektrisches Signal in Abhängigkeit der Temperaturänderung auf dem Chip ausgegeben. Diese Temperaturänderung wird verursacht durch die Lichtabsorption. Als pyroelektrische Materialien setzen wir LiTaO3 und DLaTGS ein. Diese Detektoren decken das gesamte Spektrum ab. Trotzdem werden sie hauptsächlich im MWIR und LWIR eingesetzt - auch die Verwendung in der THz Region ist populär.
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