Impulslaserdioden bei 905 nm

LASER COMPONENTS Canada fertigt auch High-Power Impulslaserdioden (PLD) mit einer Wellenlänge von 905 nm. Durch ihre AlGaAs-Struktur bietet die 905-Serie höchste Zuverlässigkeit und Temperaturstabilität sowie beste Strahleigenschaften. Wenn Sie die Wellenlänge exakt kontrollieren wollen, lässt sich zur Kühlung ein Peltier-Element in das TO integrieren.

Für die 905 nm PLDs bieten wir verschiedene Gehäuseoptionen: in TO-18, 5,6 mm, 9 mm, 8 - 32 Koax Gehäusen oder als Chip auf einem Keramikträger erhältlich. Auf Anfrage erhalten Sie auch kundenspezifische Arrays und PLDs mit anderen Wellenlängen.

Die Laserdioden findet man zum Beispiel in der Entfernungsmessung, bei der Geschwindigkeitskontrolle, in Laser-Radars, bei Sicherheitsscannern und Laserlichtvorhängen oder in Test- und Messsystemen.

Die Impulslaserdioden der 905D-Serie sind als Einzelelement oder Stapelaufbau erhältlich. Bei einer Effizienz von 1 W/A erreichen die Einzelelemente eine Spitzenleistung von 34 W, die Stack-Ausführungen bis zu 650 W bei einer Pulslänge von 150 ns und einem Duty Cycle von 0.1%.

Die Multi-Junction Impulslaserdioden ähneln der "nanostack" Technologie. Die PLDs von LASER COMPONENTS beeindrucken bei einer Effizienz bis zu 3,2 W/A mit Spitzenleistungen bis zu 115 W bei einer Pulslänge von 100 ns aus einem einzelnen Chip.

Die 115 W-Diode basiert auf drei epitaktisch integrierten Emittern mit einer aktiven Fläche von insgesamt nur 235 x 10 µm. Weitere Versionen liefern 40 W aus 85 x 10 µm sowie 80 W aus 160 x 10 µm. Aufgrund der kleinen Fläche lässt sich die Laserleistung einfach in eine Faser einkoppeln und mit Mikrooptiken kombinieren.

Höchste Zuverlässigkeit, gute Übersteuerbarkeit und eine sehr präzise Chipposition im Gehäuse garantiert das hermetisch abgeschlossene TO-Gehäuse.

Mit dem fortschrittlichen „Trench“-Verfahren lassen sich kundenspezifische PLD-Arrays mit Spitzenleistungen von über 1 kW aufbauen.

Spitzenleistungen von bis zu 650 Watt bei 905 nm liefern die gestapelten Multi-Junction Impulslaserdioden. Sie basieren auf mehreren epitaktisch integrierten Emittern mit einer gesamten Austrittsöffnung von je 200 µm x 10 µm. Abhängig von der Anzahl der integrierten Chips wird eine Spitzenleistung von bis zu 650W erreicht. Damit liefern sie eine optimale Leistungsintensität und eignen sich vor allem für medizinische Applikationen und der Ankopplung von optischen Fasern.

Eigenschaften der Einzelemitter:

• Pulslänge: 150 ns
• Spitzenleistungen: mindestens 70 W

Eigenschaften der Stack-Versionen:

• Pulslänge: 150 ns
• Spitzenleistung: bis zu 650 W

Beispielhafte Einsatzgebiete sind: Medizintechnik, Ceilometer, Altimeter, LIDAR, Abstandsmessungen

Qualitativ hochwertig und im hermetisch abgeschlossenen TO-56 Metallgehäuse untergebracht sind die Impulslaserdioden der UA-Serie. Durch die hohen produzierten Stückzahlen sind sie preislich konkurrenzfähig zu den PLDs im Kunststoffgehäuse. Zusätzlich zeichnen sie sich aus durch höchste Zuverlässigkeit, gute Übersteuerbarkeit, optimales thermisches Verhalten und eine sehr präzise Chipposition im Gehäuse.

Die 905DxxUA Serie erreicht als Einzelelement Ausführung eine Spitzenleistung von 6 W bis 19 W. Die Multi-Junction Versionen (905D1S3JTxxUA) liefern Spitzenleistungen von 40 W, 80 W und 115 W in Abhängigkeit von der Größe der emittierenden Fläche bei 100 ns und einem Duty Cycle von 0,1%.

Für die einfache direkte Montage auf einer Leiterplatine sind die High-Power Multi-Juniction PLDs auch als SMD-Bauteile verfügbar. Die zuverlässige InGaAs / GaAs-Struktur liefert Leistungen bis 120 W und ist mit emittierenden Flächen von 225 μm (optional mit 75 µm oder 150 µm) erhältlich. Auf Grund der kompakten und würfelförmigen Bauform von lediglich 2 x 2 x 2 mm sind die SMD-PLDs als Top- oder Sidelooking Emitter verwendbar.

Um die Divergenz der Fast-Axis zu optimieren, wird vor dem Laserdiodenchip eine zusätzliche FAC-Linse (Fast Axis Collimation) angebracht. Je nach Linse lassen sich so Divergenzen von 33 mrad erreichen. Chip und Linse sind in einem kleinen, hermetisch abgedichteten TO-46-Gehäuse integriert. Dieses Design hält Beschleunigungen von über 1000 g/ms problemlos stand und entspricht damit den Anforderungen für militärische Anwendungen.

Diese Technologie ist optional auch mit gepulsten 1550 nm Laserdioden erhältlich. Wenn die Wellenlänge exakt gesteuert werden muss, kann ein thermoelektrischer Kühler (TEC) in ein TO-8-Gehäuse integriert werden.