Siliziumkarbid, SiC, ist DAS Material, wenn es darum geht, UV-empfindliche, robuste Photodioden herzustellen, die noch dazu „solar-blind“ sind.
Neu sind die Photodioden JEC1,6 und JEC5 (5 mm² aktive Fläche). Sie ergänzen das Sortiment und zeichnen sich durch eine verbesserte spektrale Empfindlichkeit im UV-C und UV-B Bereich aus. Mit einer aktiven Fläche von 1,6 mm² hat die Diode JEC1,6 im Vergleich zum Modell JEC1 ein um 25% höheres Signal bei der Peakwellenlänge 270 nm - und das bei gleichem Preis. Voraussetzung ist die volle Ausleuchtung der Chipfläche.
Varianten mit integrierten Filtern für selektive Messungen im UV-A, UV-B und UV-C Bereich sind ebenso angedacht wie die Integration von Operationsverstärkern.
Für hochauflösende Positionsmessungen und Trackinganwendungen bietet sich ein „Ableger“ der neuen Baureihe an: die JQC5R Quadrantendiode.
Voraussichtlich ab dem ersten Quartal 2013 wird eine Diode mit einer aktiven Fläche von 0,5 mm² verfügbar sein.
