Panchromatisches InGaAs oder Silizium?
Panchromatisches InGaAs weist bei längeren Wellenlängen eine höhere Temperaturstabilität auf als Silizium und ist damit bei Laserapplikationen rund um 1.000 nm eine echte Alternative.
Der Empfindlichkeitsbereich unserer neuen InGaAs PIN Dioden IG17, IG22 und IG26 deckt nicht nur den SWIR-Spektralbereich ab sondern auch den sichtbaren: Wir nennen diese Eigenschaft „panchromatisch“. Am Beispiel der IG22 zeigen wir dies in der Abb. 1.
In einer Messanwendung soll das Signal möglichst wenig von Störgrößen abhängen, so muss es weitestgehend unabhängig von der Umgebungstemperatur sein. Bei Silizium ist das bei Wellenlängen unterhalb von 900 nm gegeben; die Temperaturkoeffizienten der Empfindlichkeit sind konstant, liegen bei < 0,1 %/K und können per Software korrigiert werden.
Je länger die Wellenlängen werden, desto schneller nimmt die Abhängigkeit zu und eine Softwarekorrektur wird erschwert.
Der Effekt stört besonders bei Laserapplikationen rund um 1.000 nm – hier ist das InGaAs eine echte Option zu Silizium.
Die Signaleinbuße ist marginal. Bauteile der IG17 Baureihe zeigen bei 1.000 nm einen konstanten Temperaturkoeffizienten von < 0,1 %/K. Gemäß unserer Tests ist die IG22 Baureihe mit ca. 0,002 %/K noch temperaturunabhängiger und sollte darum durchaus in Erwägung gezogen werden. Abb.2 zeigt den entsprechenden spektralen Verlauf des Temperaturkoeffizienten.
