InGaAs PIN Photodioden von LASER COMPONENTS DG
Die LASER COMPONENTS Detector Group (LC DG) fertigt seit 2004 Si- und InGaAs-Avalanche Photodioden in Tempe/Arizona, dem traditionellen Zentrum der Halbleiterei in den USA.
Neben der reinen Fertigung wird bei LASER COMPONENTS produktorientiert geforscht: Jüngstes Ergebnis sind die Ende 2013 vorgestellten InGaAs und Extended InGaAs-PIN-Photodioden. Drei Produktfamilien sind verfügbar:
- IG17: Reguläres InGaAs mit Response bis 1700 nm
- IG22: Wellenlängenerweitertes InGaAs mit Response bis 2200 nm
- IG26: Wellenlängenerweitertes InGaAs mit Response bis 2600 nm
Alle Varianten sind als Standard panchromatisch, d.h. sie funktionieren auch im sichtbaren Spektralbereich. Weitere Vorteile sind die hohe Linearität, eine ausgezeichnete Empfindlichkeit und ein geringer Temperaturkoeffizient der Empfindlichkeit. Sieben verschiedenen Gehäusevarianten stehen zur Verfügung: z.B. SMD, Chip on Submount und thermoelektrisch gekühlte Varianten. Eine Besonderheit ist die Version mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 1,3 mm - sie bringt 70% mehr Signal im Vergleich zu einem Detektor mit 1 mm Durchmesser und das unter Beibehaltung des TO-46 Gehäuses mit 4,8 mm Kappendurchmesser.
Ungekühlte Varianten im Standard TO-Gehäuse sind im allgemeinen ab Lager lieferbar – zu wettbewerbsfähigen Konditionen.
Neben dem Standardportfolio liefern wir auch kundenspezifische Anfertigungen. Meist handelt es sich hier um Bauteile mit besonderen Beschichtungen des Fensters, diese werden mit der IBS-Technologie bei uns in Deutschland gefertigt und von LC DG metallisiert, gesägt und in die Kappen gelötet.
Hauptanwendungen der IR Detektoren sind Laser-Monitoring, Spektroskopie, FTNIR sowie die berührungslose Temperaturmessung.
