Diodes PIN

Photodiodes IR avec l'accent mis sur le rendement quantique : LASER COMPONENTS développe et fabrique des photodiodes dans le domaine spectral IR jusqu'à 2600 nm.

The IA35 series photodiodes based on heterostructures were specially designed for operation at room temperature.

1100-1700 nm. Large gamme de receiver InGaAs PIN avec connectorisation sur fibre ou sur sortie avec connecteur optique.

400-2100 nm. PD-LD offre une large gamme de photodiodes et d’APD avec connectorisation sur fibre optique ou en réceptacle optique.

Photorécepteurs ultra-rapide pour des mesures optiques ultra-rapides - détection de 320-1000 nm

Plage de sensibilité 200 nm – 1 100 nm. Nombreuses options spéciales et variantes spécifiques au client possibles.
 

En raison de la petite surface de chaque segment, les diodes différentielles et les diodes quadrants conviennent à la mesure de position rapide haute résolution.

Matrices de détecteurs unidimensionnels en silicium avec 12 éléments individuels. Des variantes adaptées aux besoins spécifiques des clients sont disponibles sur demande.

Les diodes SiC sont des photodiodes UV stables présentant de nombreux avantages pour cette gamme spectrale.

Les photodiodes hybrides SiC combinent la technologie SiC sensible aux UV avec un amplificateur transimpédance intégré pour les très bas niveaux de lumière.

Ces photodiodes offrent une efficacité quantique particulièrement élevée, habituellement de 99,5 %. Elles sont principalement utilisées dans les instituts de recherche.
 

Une mise à niveau simple et rapide des systèmes Ethernet à l’aide de lignes monomodes.

Photodiodes au silicium et matrices de scintillateurs pour les applications de rayons X dans les domaines de la sécurité et de la médecine.