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Récepteurs APD

APDs avec préamplificateur ajusté intégré en boîtiers hermétiques compacts.

Les Récepteurs

Les performances d’une APD dans une application spécifique sont souvent limitées par le préamplificateur utilisé, ainsi le préamplificateur doit être choisit et implémenté avec le plus grand soin afin d’obtenir le meilleur rapport signal sur bruit possible. Nos récepteurs de série H offrent à l’utilisateur une APD avec son préamplificateur ajusté, intégré le tout dans un boîtier hermétique compact.

Tous les récepteurs listés ci-dessous sont disponibles en version silicium ou InGaAs et ainsi destinés aux plages de longueurs d’onde 400-1100 et 1000-1650 nm respectivement.

*(SAE-, SAR-, SAT-Series)

**(IAG-Series)

 

Série H0

La série H0 comprend un APD en silicium ou en InGaAs avec un préamplificateur hybride optimisé à faible bruit. Les domaines d'application sont la télémétrie laser, le LIDAR et les applications médicales ou analytiques.

Montée dans un boîtier TO-46 modifié à 5 pôles, la série H0 offre des bandes passantes allant jusqu'à 1 GHz et une sortie Single-Ended. Une bande passante plus large peut être obtenue en réduisant encore les valeurs de résistance de rétroaction.

Série H1

La série ultra faible bruit H1 est fournie en boîtier 12-pin TO8 et intègre un senseur de température permettant la compensation en température de l’élément. La bande passante maximum va de 1 MHz à 30MHz selon les versions.

Série H2 / H3 / H4 / H5

Les séries de récepteurs H2/ H3/ H4/ H5 sont conçus pour des applications encore plus rapides, offrants des bandes passantes jusqu’à 700 MHz.

Ces récepteurs sont livrés en boîtiers compacts de type TO46.

Accessories

Beyond Borders

dBC-Module dBC-Module
Modules Hautes Tensions Pour APD

Avec les modules faibles coûts compacts de LASER COMPONENTS il est aisé de fournir des tensions jusqu’à plusieurs 1000 V

Informations

sur les photodiodes à avalanche

Matériel semi-conducteur

Semblables aux photomultiplicateurs, les photodiodes à avalanche sont employées pour détecter des intensités de lumière extrêmement faibles.

Les Si APDs sont employées dans la gamme de longueurs d'onde de 250 à 1100 nanomètres, tandis que l’InGaAs est employé comme matériel semi-conducteur dans les APDs pour la gamme de longueurs d'onde à partir de 1100 à 1700 nanomètres.

Mike Hodges
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Bienvenue chez LASER COMPONENTS Germany GmbH, votre expert en composants photoniques. Notre large gamme de produits (détecteurs, diodes laser, modules laser, optiques, fibres optiques et autres) vaut chaque Euro (€/EUR). Nos solutions sur mesure couvrent tous les domaines d'application imaginables : de la technique de détection à la technique médicale. Vous pouvez nous joindre ici :

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