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Photodiodes Avalanche Silicium dans le Comptage de Photons

APD avec une excellente efficacité quantique pour le comptage de photons.

Les photodiodes avalanche silicium de la série SAP sont principalement utilisées dans le comptage de photons. Cette série comporte le rendement le plus élevé et les plus bas taux de courant d’obscurité actuels.

La série SAP

La série SAP est basée sur une structure "reach through” avec à la fois un excellent rendement quantique ainsi qu'un bruit et courant d'obscurité extrêmement faibles. Cet APD, de surface active de D=500 µm, peut être utilisée en mode linéaire normal (VR < VBR) avec un gain interne de 250 ou également en mode « Geiger ».

En mode « Geiger » l'APD fonctionne à une tension qui est plus grande que la tension de claquage (VR > VBR) ; dans ce mode, des photons uniques peuvent être détectés. La nouvelle série SAP est bien adaptée aux applications qui mesurent les signaux lumineux les plus faibles (photons uniques y compris) et les détectent en façon résolue en temps (par exemple, radar à laser, spectroscopie, mesures de fluorescence, ou comptage de photons).


Les avantages comparés aux photomultiplicateurs (PMTs) sont comme suit :


  • design compact
  • rendement quantique très élevé
  • insensible aux champs magnétiques
  • robuste
  • longue durée de vie
  • très bonne résolution temporelle
  • peu coûteux
  • une plus faible tension d'opération


 


La série SAP est disponible dans un boîtier TO-46 modifié et hermétiquement scellé. Une version avec un refroidisseur thermoélectrique à un seul étage est également disponible dans un boîtierTO-37 ou à double-étage TEC dans une monture TO-8.


 

Accessories

Beyond Borders

dBC-Module dBC-Module
Modules Hautes Tensions Pour APD

Avec les modules faibles coûts compacts de LASER COMPONENTS il est aisé de fournir des tensions jusqu’à plusieurs 1000 V

Informations

sur les photodiodes à avalanche

Matériel semi-conducteur

Semblables aux photomultiplicateurs, les photodiodes à avalanche sont employées pour détecter des intensités de lumière extrêmement faibles.

Les Si APDs sont employées dans la gamme de longueurs d'onde de 250 à 1100 nanomètres, tandis que l’InGaAs est employé comme matériel semi-conducteur dans les APDs pour la gamme de longueurs d'onde à partir de 1100 à 1700 nanomètres.

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