Diodes laser pulsées fonctionnant à 905 nm

LASER COMPONENTS Canada produit également des diodes laser pulsées (PLD) de fortes puissances à une longueur d'onde de 905 nm. Grâce à sa structure AlGaAs, la série à 905 permet d'obtenir une fiabilité élevée et une haute stabilité en température ainsi que des caractéristiques de faisceau optimales. Pour un contrôle précis de la longueur d'onde, il est possible d'intégrer un élément Peltier dans le TO pour le refroidissement.

Pour les PLD à 905 nm, nous proposons différentes options de boîtier : elles sont disponibles dans des boîtiers TO-18, 5,6 mm, 9 mm, coax 8 à 32 ou sous forme de puce sur embase céramique. Des matrices et diodes laser pulsées (PLD) avec d'autres longueurs d'onde, spécifiques aux clients, sont également disponibles sur demande.

Les diodes laser sont par exemple utilisées dans la télémétrie, le contrôle de vitesse, les radars laser, les scanners de sécurité et les barrières de sécurité laser ou encore dans les systèmes de tests et de mesure.

Les séries de diodes lasers pulsées à 905 nm sont disponibles en mono-élément ou sous forme de stacks  jusqu’à 650 W. Avec une efficacité de 1 W/A, la version mono élément délivre une puissance crête de 34 W, tandis que la version en stacks permet d’obtenir jusqu’à plus de 130 W pour une durée d’impulsion de 150 ns et un duty cycle de 0.1%.

Les diodes laser pulsées multi-jonctions sont similaires à la technologie des "nano-stacks". Les PLD de LASER COMPONENTS impressionnent avec leur efficacité max. de 3,2 W/A ainsi que les puissances de pointe jusqu’à 115 W pour une longueur d’impulsion de 100 ns à partir d’une seule puce.

Les diodes à 115 W sont basées sur l’intégration par épitaxie de 3 émetteurs de surface active totale de seulement 235 x 10 µm. D’autres versions délivrent une puissance de sortie de 40 W pour une surface active de 85 X 10 µm et 80 W pour 160 x 10 µm. La faible surface d’émission permet un couplage de la puissance laser aisée dans une fibre combinée à de micro-optiques

Un boîtier TO hermétiquement scellé assure haute fiabilité, d’excellente capacité de suralimentation et un alignement très précis à l’intérieur du boîtier TO.

Avec la méthode « Trench » avancée, il est possible de développer des matrices PLD spécifiques aux clients avec des puissances de pointe supérieures à 1 kW.

Les diodes laser pulsée (PLDs) multi-jonction en version stacks délivrent une puissance crête  jusqu’à 650 W à 905 nm. Elles sont développées sur la base de plusieurs émetteurs intégrés par épitaxie et totalisant une surface d’émission de 200 X 10 µm, et délivrant ainsi une puissance optique optimale.

Selon le nombre de puces intégrées, une puissance crête jusqu'à 650 W peut être obtenue. Elles fournissent l'intensité optimale de puissance et sont particulièrement appropriées aux applications médicales et au couplage des fibres optiques.

Caractéristiques des mono émetteurs

• Longueur de l’impulsion: 150 ns
• Puissance crête: au moins: 70 W

Caractéristique des versions stackées

• Longueur de l’impulsion: 150 ns
• Puissance crête:  jusqu’à 650 W

Les domaines d’application incluent: technologie médicale, ceilomètres, altimètres, LIDAR, mesure de distances.

Les diodes laser pulsées de la série UA représentent des diodes laser de hautes qualités hermétiquement scellées en boîtier métallique TO-56. Produites en larges quantités, elles peuvent être compétitives en prix face aux PLDs en boîtiers plastiques.

De plus elles sont très fiables, possèdent d’excellentes caractéristiques en overdrive, et présentent une stabilité en température optimale et un positionnement extrêmement précis à l’intérieur du boîtier.

En tant que version mono élément, la série 905DxxUA permet d’obtenir des valeurs de pic de puissance de 6W à 19W. Les versions à jonctions multiples (905D1S3JTxxUA) fournissent des puissances de pointe de 40 W, de 80 W et de 115 W en fonction de la taille de la surface émettrice pour 100 ns et un rapport cyclique de 0,1 %.

Nos diodes laser pulsées – PLD -  multi-jonctions haute puissance sont également disponibles sous forme de composants CMS pour un montage direct, facile sur une carte de circuit imprimé. Ces structures InGaAs / GaAs fiables délivrent des puissances allant jusqu'à 120 W. Elles sont disponibles dans des tailles de sources de 225 μm (en option avec 75 µm ou 150 µm). Grâce à leur conception cubique compacte de seulement 2 x 2 x 2 mm, nos PLD CMS peuvent être utilisés comme émetteurs de type top-looking ou side-looking.

Afin d'optimiser la divergence de l'axe rapide, une lentille FAC (Fast Axis Collimation) supplémentaire est installée devant la puce de la diode laser. Selon la lentille, il est ainsi possible d'atteindre des divergences de 33 mrad. La puce et la lentille sont intégrées dans un petit boîtier TO-46 hermétiquement scellé. Cette conception résiste aisément à des accélérations de plus de 1 000 g/ms et satisfait ainsi aux exigences des applications militaires.

Cette technologie est également disponible en option avec des diodes laser pulsées de 1550 nm. Si la longueur d'onde doit être contrôlée avec précision, un refroidisseur thermoélectrique (TEC) peut être intégré dans un boîtier TO-8.