Die Produktvielfalt der von LASER COMPONENTS Canada hergestellten Impulslaserdioden wächst weiter und ist für jede Anwendung optimal angepasst. Mit der bewährten Nanostack Lasertechnologie, welche mehrere epitaktisch integrierte Emitter beinhaltet, werden bei einer Wellenlänge von 905 nm durch Stapelaufbauten Spitzenleistungen von 70 bis 210 W erzielt. Diese PLDs sind für Anwendungen wie Ceilometer oder LIDAR optimiert, bei denen große Distanzen (>> 1 km) erfasst werden sollen. Für kleinere Reichweiten wird diese Technologie nun auch mit einem 3 mil Chip angeboten. Aus einem 80 µm x 10 µm Emitter wird eine Pulsleistung von 25 W erzielt. Der etwas größere 6 mil Chip (160 µm x 10 µm) liefert 50 W bei 150 ns Pulslänge und einem Duty cycle von 0,1 %. Aufgrund der kleineren Fläche lässt sich die Laserleistung besser in eine Faser einkoppeln und mit Mikrooptiken kombinieren. Die neue 9 mil Version (235 µm x 10 µm) liefert aus einem einzelnen Chip eine Spitzenleistung von 75 W.
Damit alle technischen Vorteile dieser PLD-Chips ausgeschöpft werden, sind sie in ein hermetisch dichtes TO-Gehäuse integriert. Dies liefert höchste Zuverlässigkeit, gute Übersteuerbarkeit und eine sehr präzise Chipposition im Gehäuse.
Passende Empfänger – Si-APDs bei 905 nm
Eine passende Si-Avalanche Photodiode liefern wir auf Wunsch gleich als preiswertes Muster mit. Bei der neuen SARF500F2 ist ein 905 nm Bandpassfilter bereits in das modifizierten TO-46 Gehäuse integriert. Der 500 µm APD Chip ist ebenfalls für die Wellenlänge 905 nm optimiert, sodass eine optimale Performance in Verbindung mit obigen PLDs gegeben ist. Die Vorteile der SARF500F2 liegen auf der Hand: Kostenersparnis, da kein externer Filter mehr benötigt wird und zusätzliche Montageschritte entfallen, kleinste Bauform und optimale Systemeigenschaften bei der Messwellenlänge
905 nm.
