PIN Dioden

IR- Fotodioden mit hervorzuhebender Quanteneffizienz. LASER COMPONENTS entwickelt und fertigt Fotodioden im Spektralbereich bis 2600 nm.

1100 nm – 1700 nm. Umfangreiches Lieferprogramm an InGaAs-PIN-Receivern mit Faseranschluss oder im optischen Stecker.

Die auf Heterostrukturen basierenden Fotodioden der Baureihe IA35 sind insbesondere für den Raumtemperaturbetrieb konzipiert.

Abhängig von der integrierten Photodioden detektieren die Komponenten mit Pigtail zwischen 400 nm - 2100 nm.

High-Speed Photoreceiver für optische Hochgeschwindigkeitsmessungen.
Detektion von 320 nm - 1000 nm.

Empfindlichkeitsbereich 200 nm - 1100 nm. Viele Sonderoptionen und kundenspezifische Varianten möglich.

Auf Grund der kleinen Flächen der einzelnen Segmente eignen sich Differentialdioden und Quadrantendioden für die hochauflösende und schnelle Positionsmessung

Eindimensionale Detektor-Arrays aus Silizium mit 12 Einzelelementen. Kundenspezifische Varianten sind auf Anfrage erhältlich.

SiC-Dioden sind stabile UV-Fotodioden mit vielen Vorteilen für diesen Spektralbereich.

SiC-Hybrid-Fotodioden kombinieren die SiC UV-sensitive Technologie mit einem eingebauten Transimpedanzverstärker für sehr wenig Licht.

Diese Fotodioden bieten eine besonders hohe Quanteneffizienz von typisch 99,5%. Sie werden vor allem in Forschungseinrichtungen eingesetzt.

Ethernet schnell und unkompliziert mit Singlemode-Strecken aufrüsten

Silizium-Photodioden und Arrays mit Szintillatoren für X-Ray Anwendungen in der Sicherheits- und Medizintechnik.